Semiconductor

반도체

Global Specialty Chemical Provider

레이크머티리얼즈는 특화된 기술력과 차별화된 제품으로 유기금속소재 화학업체들과 경쟁 우위를 목표로 고객에게 최고의 만족과 가치를 추구하고 있으며 전자재료 사업과 정밀화학소재 사업을 통해 최적화된 화학소재 Total 솔루션을 제공하고 있습니다.

반도체용 전구체

반도체용 Precursor (반도체용 전구체)

독자적인 유기금속 화합물 설계 및 제조기술을 바탕으로 고객사에 적극 대응하고 있으며, CVD/ALD 전구체를 제조 국내외 업체에 공급하고 있습니다.

금속

제품명

화학명

Al

TMA

Chemical Name	TMA (Trimethyl aluminium)
Formula	(CH₃)₃Al
Molecular Weight	72.09 g/mol
Melting point	15.4 ℃
Boiling point	127 ℃
Vapor pressure	11 mmHg @20℃

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팩스044-865-0095

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Ga

TMG

Chemical Name	TMG (Trimethylgallium)
Formula	(CH₃)₃Ga
Molecular Weight	114.83 g/mol
Melting point	-15.8 ℃
Boiling point	55.7 ℃
Vapor pressure	182 mmHg @20℃

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Ga

GaI₃

Chemical Name	Gallium(III) iodide
Formula	GaI₃
Molecular Weight	450.44 g/mol
Melting point	212 ℃
Boiling point	345 ℃ (subl.)
Vapor pressure	4.4 mmHg @180℃

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Ga

GaCl₃

Chemical Name	Gallium(III) Chloride
Formula	GaCI₃
Molecular Weight	176.08 g/mol
Melting point	78 ℃
Boiling point
Vapor pressure	0.75 mmHg 48@℃

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In

TMI

Chemical Name	TMI (Trimethylindium)
Formula	(CH₃)₃In
Molecular Weight	159.93 g/mol
Melting point	88 ℃
Boiling point	133.8 ℃
Vapor pressure	7.8 mmHg @40℃

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In

InCl₃

Chemical Name	Indium(III) chloride
Formula	InCl₃
Molecular Weight	221.19 g/mol
Melting point	588 ℃
Boiling point	＞500 ℃ (subl.)
Vapor pressure

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Mg

Cp₂Mg

Chemical Name	Cp₂Mg (Bis(cyclopentadienyl)magnesium)
Formula	(C₅H₅)₂Mg
Molecular Weight	154.40 g/mol
Melting point	180 ℃
Boiling point	267 ℃
Vapor pressure	0.037 mmHg @25℃

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Mg

EtCp₂Mg

Chemical Name	EtCp₂Mg (Bis(ethylcyclopentadienyl)magnesium)
Formula	(C₅H₄C₂H₅)₂Mg
Molecular Weight	210.6 g/mol
Melting point
Boiling point	0.47 mmHg @56 ℃
Vapor pressure	0.043 mmHg @ 25℃

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Sb

TESb

Chemical Name	TESb (Triethylantimony)
Formula	Sb(CH₂CH₃)₃
Molecular Weight	208.94 g/mol
Melting point	<-29 ℃
Boiling point	156 ~ 169 ℃
Vapor pressure	3 mmHg @25℃

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Sb

Sb₂O₃

Chemical Name	Antimony(III) oxide
Formula	Sb₂O₃
Molecular Weight	291.5 g/mol
Melting point	655 ℃
Boiling point	1550 °C (subl.)
Vapor pressure	9.97 mmHg @660℃

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P

TBP

Chemical Name	TBP (tert-butylphosphine)
Formula	C₄H₁₁P
Molecular Weight	90.1 g/mol
Melting point	4 ℃
Boiling point	54 ℃
Vapor pressure

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Ti

TiCl₄

Chemical Name	Titanium(IV) chloride
Formula	TiCl₄
Molecular Weight	189.69 g/mol
Melting point	-24.1 ℃
Boiling point	136.4 ℃
Vapor pressure	9.75 mmHg @21.3℃

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Ta

PDMAT

Chemical Name	PDMAT (Pentakis(dimethylamino)tantalum)
Formula	C₁₀H₃₀N₅Ta
Molecular Weight	401.33 g/mol
Melting point	100 ℃
Boiling point
Vapor pressure

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W

W(CO)₆

Chemical Name	Tungsten hexacarbonyl
Formula	W(CO)₆
Molecular Weight	351.9 g/mol
Melting point	150 ℃
Boiling point
Vapor pressure	1.2 mmHg @67℃

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Hf

TDMAH

Chemical Name	TDMAH (Tetrakis(dimethylamino)hafnium)
Formula	((CH₃)₂N)₄Hf
Molecular Weight	354.79 g/mol
Melting point	26~29 ℃
Boiling point	318.5 ℃
Vapor pressure	1 mmHg @65℃

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Zr

ZAC

Chemical Name	ZAC (Tris(dimethylamino)(cyclopentadienyl)zirconium)
Formula	(C₅H₅)(N(CH₃)₂)₃Zr
Molecular Weight	288.54 g/mol
Melting point	＜0 ℃
Boiling point	264 ℃
Vapor pressure	0.6 mmHg @72℃

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Zr

TDMAZ

Chemical Name	TDMAZr (Tetrakis(dimethylamino)zirconium(IV))
Formula	((CH₃)₂N)₄Zr
Molecular Weight	267.53 g/mol
Melting point	60 ℃
Boiling point	265 ℃
Vapor pressure	1 mmHg @77℃

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Si

TEOS

Chemical Name	TEOS (Tetraethylorthosilicate)
Formula	(OC₂H₅)₄Si
Molecular Weight	208.33 g/mol
Melting point	-77 ℃
Boiling point	168 ℃
Vapor pressure	7.50 mmHg @20℃

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Si

TCS

Chemical Name	TCS (Trichlorosilane)
Formula	HCl₃Si
Molecular Weight	135.45 g/mol
Melting point	＜-126.5 ℃
Boiling point	32~37 ℃
Vapor pressure	504.1 mmHg @20℃

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Si

TrisDMAS

Chemical Name	TrisDMAS (Tris(dimethylamino)silane)
Formula	((CH₃)₂N)₃SiH
Molecular Weight	161.32 g/mol
Melting point	-90 ℃
Boiling point	142 °C
Vapor pressure	7 mmHg @25℃

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Si

BTBAS

Chemical Name	BTBAS (Bis(tert-butylamino)silane)
Formula	C₈H₂₂N₂Si
Molecular Weight	174.36 g/mol
Melting point	＜-40 ℃
Boiling point	167 °C
Vapor pressure	1.15 mmHg @20℃

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Si

DIPAS

Chemical Name	DIPAS (Diisopropylaminosilane)
Formula	C₆H₁₇NSi
Molecular Weight	131.30 g/mol
Melting point	＜-10 ℃
Boiling point	116.9 ℃
Vapor pressure	106 mmHg @55℃

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Si

BDEAS

Chemical Name	BDEAS (Bis(diethylamino)silane)
Formula	C₈H₂₂N₂Si
Molecular Weight	174.36 g/mol
Melting point	＜-10 ℃
Boiling point	188 ℃
Vapor pressure	30 mmHg @70℃

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Si

BEMAS

Chemical Name	BEMAS (Bis(ethylmethylamino)silane)
Formula	C₆H₁₈N₂Si
Molecular Weight	146.31 g/mol
Melting point	＜-10 ℃
Boiling point	136 ℃
Vapor pressure	5 mmHg @20℃

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Co

CCTBA

Chemical Name	CCTBA (DiCobalt hexacarbonyl tertiary-butyl acetylene)
Formula	C₁₂Co₂O₆H₁₀
Molecular Weight	368 g/mol
Melting point	10~12 ℃
Boiling point	0.8 mmHg @52 ℃
Vapor pressure	0.1 mmHg @40℃

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Ge

IBGe

Chemical Name	IBGe (Isobutylgermane)
Formula	C₄H₁₂Ge
Molecular Weight	132.7 g/mol
Melting point	≤-78 ℃
Boiling point	66 ℃
Vapor pressure

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Ge

TDMAGe

Chemical Name	TDMAGe (Tetrakis(dimethylamino)germanium)
Formula	(N(CH₃)₂)₄Ge
Molecular Weight	248.9 g/mol
Melting point	14 ℃
Boiling point	203℃
Vapor pressure	3 mmHg @50℃

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