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디스플레이

Global Specialty Chemical Provider

레이크머티리얼즈는 특화된 기술력과 차별화된 제품으로 유기금속소재 화학업체들과 경쟁 우위를 목표로 고객에게 최고의 만족과 가치를 추구하고 있으며 전자재료 사업과 정밀화학소재 사업을 통해 최적화된 화학소재 Total 솔루션을 제공하고 있습니다.

디스플레이용 전구체

Display용 Precursor (디스플레이용 전구체)

최근 이슈화되고 있는 퀀텀닷, OLED, IZGO Oxide TFT 관련 소재를 개발 제조하여 국내 업체에 공급하고 있습니다.

금속

제품명

화학명

P

DPP

Chemical Name	DPP (Diphenylphosphine)
Formula	(C₆H₅)₂PH
Molecular Weight	186.19 g/mol
Melting point
Boiling point	280 ℃
Vapor pressure	2.25 mmHg @110℃

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P

TOP

Chemical Name	TOP (Trioctylphosphine)
Formula	((CH₂)₇CH₃)₃P
Molecular Weight	370.64 g/mol
Melting point
Boiling point	396.4 ℃
Vapor pressure

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P

TMS3P

Chemical Name	TMS3P (Tris(trimethylsilyl)phosphine)
Formula	C₉H₂₇PSi₃
Molecular Weight	250.54 g/mol
Melting point	24 ℃
Boiling point	243~244 ℃
Vapor pressure	0.5 mmHg @25℃

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In

DADI

Chemical Name	DADI ((3-Dimethylaminopropyl)dimethylindium)
Formula	(CH₃)₂In(CH₂)₃N(CH₃)₂
Molecular Weight	231.04 g/mol
Melting point	12 ℃
Boiling point	199.2 ℃
Vapor pressure	0.58 mmHg @30℃

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In

TMI

Chemical Name	TMI (Trimethylindium)
Formula	(CH₃)₃In
Molecular Weight	159.93 g/mol
Melting point	88 ℃
Boiling point	133.8 ℃
Vapor pressure	7.8 mmHg @40℃

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In

Indium acetate

Chemical Name	Indium acetate
Formula	In(C₂H₃O₂)₃
Molecular Weight	291.95 g/mol
Melting point	270 ℃
Boiling point
Vapor pressure

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In

InCl₃

Chemical Name	Indium(III) chloride
Formula	InCl₃
Molecular Weight	221.19 g/mol
Melting point	588 ℃
Boiling point	<500 ℃ (subl.)
Vapor pressure

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Ga

TMG

Chemical Name	TMG (Trimethylgallium)
Formula	(CH₃)₃Ga
Molecular Weight	114.83 g/mol
Melting point	-15.8 ℃
Boiling point	55.7 ℃
Vapor pressure	182 mmHg @20℃

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Ga

TEG

Chemical Name	TEG (Triethylgallium)
Formula	(C₂H₅)₃Ga
Molecular Weight	156.91 g/mol
Melting point	-82.3 ℃
Boiling point	143 ℃
Vapor pressure	16 mmHg @43℃

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Ga

GaCl₃

Chemical Name	Gallium(III) Chloride
Formula	GaCI₃
Molecular Weight	176.08 g/mol
Melting point	78 ℃
Boiling point
Vapor pressure	0.75 mmHg 48@℃

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Al

TMA

Chemical Name	TMA (Trimethylaluminium)
Formula	(CH₃)₃Al
Molecular Weight	72.09 g/mol
Melting point	15.4 ℃
Boiling point	127 ℃
Vapor pressure	11 mmHg @20℃

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Zn

DEZ

Chemical Name	DEZ (Diethyl zinc)
Formula	(C₂H₅)₂Zn
Molecular Weight	123.5 g/mol
Melting point	-28 ℃
Boiling point	118 ℃
Vapor pressure	15 mmHg @20℃

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Zn

Zinc acetate

Chemical Name	Zinc acetate dihydrate
Formula	C₄H₆O₄Zn∙2H₂O
Molecular Weight	219.51 g/mol
Melting point	237 ℃
Boiling point
Vapor pressure

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Si

TrisDMAS

Chemical Name	TrisDMAS (Tris(dimethylamino)silane)
Formula	((CH₃)₂N)₃SiH
Molecular Weight	161.32 g/mol
Melting point	-90 ℃
Boiling point	142 °C
Vapor pressure	7 mmHg @25℃

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Si

BTBAS

Chemical Name	BTBAS (Bis(tert-butylamino)silane)
Formula	C₈H₂₂N₂Si
Molecular Weight	174.36 g/mol
Melting point	<-40 ℃
Boiling point	167 °C
Vapor pressure	1.15 mmHg @20℃

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Si

DIPAS

Chemical Name	DIPAS (Diisopropylaminosilane)
Formula	C₆H17NSi
Molecular Weight	131.30 g/mol
Melting point	<-10 ℃
Boiling point	116.9 ℃
Vapor pressure	106 mmHg @55℃

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Si

BDEAS

Chemical Name	BDEAS (Bis(diethylamino)silane)
Formula	C₈H₂₂N₂Si
Molecular Weight	174.36 g/mol
Melting point	<-10 ℃
Boiling point	188 ℃
Vapor pressure	30 mmHg @70℃

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Si

BEMAS

Chemical Name	BEMAS (Bis(ethylmethylamino)silane)
Formula	C₆H₁₈N₂Si
Molecular Weight	146.31 g/mol
Melting point	<-10 ℃
Boiling point	136 ℃
Vapor pressure	5 mmHg @20℃

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